新型电极涂层攻克脑机接口长期植入难题

【新型电极涂层攻克脑机接口长期植入难题】来源：科技日报科技日报记者 陆成宽记者22日从中国科学院理化技术研究所获悉，来自该所等单位的科研人员研发出一款多功能电极涂层，成功解决了脑机接口长期植入后信号衰减、组织粘连等核心难题。

此次，中国科学院理化技术研究所张维团队联合北京天坛医院、中国科学院上海微系统所及脑虎科技等单位，研发出一款阳离子交替肽电极涂层。论文通讯作者张维说，这项通用涂层技术让脑机接口和植入式医疗设备离临床应用更近了一步：电极既能长期稳定工作，老化后也能安全取出更换，为真正可长期使用的脑机接口打下了基础。

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